Bipolartransistor STD01P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 5000 bis 20000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P-5WO2

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor STD01P kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des STD01P-O liegt im Bereich von 5000 bis 12000, die des STD01P-Y im Bereich von 8000 bis 20000.Der komplementäre NPN-Transistor zum STD01P ist der STD01N.Sie können den Transistor STD01P durch einen STD02P oder STD03P ersetzen.