Bipolartransistor STD02P

Elektrische Eigenschaften des Transistors STD02P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 130 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P-5WO2

Pinbelegung des STD02P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor STD02P kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des STD02P-O liegt im Bereich von 5000 bis 12000, die des STD02P-Y im Bereich von 8000 bis 20000.

Equivalent circuit

STD02P equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum STD02P ist der STD02N.

Ersatz und Äquivalent für Transistor STD02P

Sie können den Transistor STD02P durch einen STD03P ersetzen.
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