Bipolartransistor STD01N-Y
Elektrische Eigenschaften des Transistors STD01N-Y
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 8000 bis 20000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P-5WO4
Pinbelegung des STD01N-Y
Klassifizierung von hFE
Equivalent circuit
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor STD01N-Y
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