Bipolartransistor STD03P-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors STD03P-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 160 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P-5WO2

Pinbelegung des STD03P-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor STD03P-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 8000 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des STD03P liegt im Bereich von 5000 bis 20000, die des STD03P-O im Bereich von 5000 bis 12000.

Equivalent circuit

STD03P-Y equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum STD03P-Y ist der STD03N-Y.
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