Bipolartransistor SS8050C

Elektrische Eigenschaften des Transistors SS8050C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des SS8050C

Der SS8050C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor SS8050C kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des SS8050 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des SS8050B im Bereich von 85 bis 160, die des SS8050D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum SS8050C ist der SS8550C.

SMD-Version des Transistors SS8050C

Der FMMT449 (SOT-23), MPS8050S (SOT-23) und MPS8050S-C (SOT-23) ist die SMD-Version des SS8050C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor SS8050C

Sie können den Transistor SS8050C durch einen MPS650, MPS650G, MPS8050 oder MPS8050C ersetzen.
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