Bipolartransistor SS8050B

Elektrische Eigenschaften des Transistors SS8050B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des SS8050B

Der SS8050B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor SS8050B kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des SS8050 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des SS8050C im Bereich von 120 bis 200, die des SS8050D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum SS8050B ist der SS8550B.

SMD-Version des Transistors SS8050B

Der MPS8050S (SOT-23) und MPS8050S-B (SOT-23) ist die SMD-Version des SS8050B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor SS8050B

Sie können den Transistor SS8050B durch einen MPS650, MPS650G, MPS8050 oder MPS8050B ersetzen.
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