Bipolartransistor SS8550C

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 1 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 120 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der SS8550C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor SS8550C kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des SS8550 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des SS8550B im Bereich von 85 bis 160, die des SS8550D im Bereich von 160 bis 300.Der komplementäre NPN-Transistor zum SS8550C ist der SS8050C.Der MMBT3702 (SOT-23), MPS8550S (SOT-23) und MPS8550S-C (SOT-23) ist die SMD-Version des SS8550C-Transistors.Sie können den Transistor SS8550C durch einen MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550C oder ZTX949 ersetzen.