Bipolartransistor SS8050D

Elektrische Eigenschaften des Transistors SS8050D

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des SS8050D

Der SS8050D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor SS8050D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des SS8050 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des SS8050B im Bereich von 85 bis 160, die des SS8050C im Bereich von 120 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum SS8050D ist der SS8550D.

SMD-Version des Transistors SS8050D

Der FMMT449 (SOT-23), MPS8050S (SOT-23) und MPS8050S-D (SOT-23) ist die SMD-Version des SS8050D-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor SS8050D

Sie können den Transistor SS8050D durch einen MPS650, MPS650G, MPS8050, MPS8050D oder ZTX690B ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com