Bipolartransistor MPS8050S

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 190 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23
• Electrically Similar to the Popular MPS8050 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor MPS8050S kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8050S-B liegt im Bereich von 85 bis 160, die des MPS8050S-C im Bereich von 120 bis 200, die des MPS8050S-D im Bereich von 160 bis 300.Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS8050S ist der MPS8550S.Der MPS8050 ist die TO-92-Version des MPS8050S.