Bipolartransistor MJD117G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 12000
• Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor
• Der MJD117G ist die bleifreie Version des MJD117-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD117G-Transistor ist als "J117G" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJD117G ist der MJD112G.Sie können den Transistor MJD117G durch einen MJD117, MJD117T4, MJD117T4G, MJD127, MJD127G, MJD127T4 oder MJD127T4G ersetzen.