Bipolartransistor MJD127G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 12000
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP127 transistor
• Der MJD127G ist die bleifreie Version des MJD127-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD127G-Transistor ist als "J127G" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJD127G ist der MJD122G.Sie können den Transistor MJD127G durch einen MJD127, MJD127T4 oder MJD127T4G ersetzen.