Bipolartransistor MJD112G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD112G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 12000
  • Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP112 transistor
  • Der MJD112G ist die bleifreie Version des MJD112-Transistors

Pinbelegung des MJD112G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MJD112G-Transistor ist als "J112G" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJD112G ist der MJD117G.

SMD-Version des Transistors MJD112G

Der FMMT624 (SOT-23) und FZT694B (SOT-223) ist die SMD-Version des MJD112G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD112G

Sie können den Transistor MJD112G durch einen MJD112, MJD112T4, MJD112T4G, MJD122, MJD122G, MJD122T4 oder MJD122T4G ersetzen.
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