Bipolartransistor MJD117T4

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD117T4

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 12000
  • Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor

Pinbelegung des MJD117T4

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MJD117T4-Transistor ist als "J117" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD117T4

Sie können den Transistor MJD117T4 durch einen MJD117, MJD117G, MJD117T4G, MJD127, MJD127G, MJD127T4 oder MJD127T4G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJD117T4G-Transistor ist die bleifreie Version des MJD117T4.
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