Bipolartransistor MJD117T4G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD117T4G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
- Verlustleistung, max: 20 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 12000
- Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-252
- Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor
- Der MJD117T4G ist die bleifreie Version des MJD117T4-Transistors
Pinbelegung des MJD117T4G
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD117T4G
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