Bipolartransistor MJ2801

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ2801

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 115 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ2801

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ2801 ist der MJ2901.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ2801

Sie können den Transistor MJ2801 durch einen 2N3771, 2N3771G, 2N3772, 2N3772G, 2N5301, 2N5302, 2N5302G, 2N5303, 2N5685, 2N5685G, 2N5686, 2N5686G, KD501, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.
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