Bipolartransistor 2N5303

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5303

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 20 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5303

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5303 ist der 2N5745.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5303

Sie können den Transistor 2N5303 durch einen 2N5686, 2N5686G, KD503, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.
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