Bipolartransistor 2N5686G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5686G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 50 A
  • Verlustleistung, max: 300 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der 2N5686G ist die bleifreie Version des 2N5686-Transistors

Pinbelegung des 2N5686G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5686G ist der 2N5684G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5686G

Sie können den Transistor 2N5686G durch einen 2N5686, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.
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