Bipolartransistor 2N5302

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5302

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5302

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5302 ist der 2N4399.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5302

Sie können den Transistor 2N5302 durch einen 2N5302G, 2N5685, 2N5685G, 2N5686, 2N5686G, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N5302G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N5302.
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