Bipolartransistor 2N5302G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5302G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der 2N5302G ist die bleifreie Version des 2N5302-Transistors

Pinbelegung des 2N5302G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5302G

Sie können den Transistor 2N5302G durch einen 2N5302, 2N5685, 2N5685G, 2N5686, 2N5686G, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.
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