Bipolartransistor MJ15019
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ15019
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
- Verlustleistung, max: 150 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30
- Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des MJ15019
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ15019
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com