Bipolartransistor BD681

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD681

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD681

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BD681 equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD681 ist der BD682.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD681

Sie können den Transistor BD681 durch einen BD681G ersetzen.

Bleifreie Version

Der BD681G-Transistor ist die bleifreie Version des BD681.

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