Bipolartransistor BC848W

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC848W

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC848W

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC848W kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC848AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC848BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC848CW im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC848W ist der BC858W.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC848W

Sie können den Transistor BC848W durch einen BC847W, BC849W oder BC850W ersetzen.
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