Bipolartransistor BC848CW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC848CW

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC848CW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC848CW kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC848AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC848BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC848W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC848CW ist der BC858CW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC848CW

Sie können den Transistor BC848CW durch einen BC847CW, BC847W, BC849CW, BC849W, BC850CW oder BC850W ersetzen.
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