Bipolartransistor BC416B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC416B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 460
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC416B

Der BC416B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC416B kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 460 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC416 liegt im Bereich von 180 bis 800, die des BC416C im Bereich von 380 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC416B ist der BC414B.

SMD-Version des Transistors BC416B

Der 2SA812 (SOT-23), BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860W (SOT-323), KSA812 (SOT-23), KST5086 (SOT-23) und MMBT5086 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC416B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC416B

Sie können den Transistor BC416B durch einen BC251, BC251B, BC256, BC256B, BC307, BC307B, BC327, BC446, BC446B, BC448, BC448B, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.
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