Bipolartransistor BC307B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC307B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 460
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Rauschzahl, max: 10 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC307B

Der BC307B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC307B kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 460 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC307 liegt im Bereich von 120 bis 800, die des BC307A im Bereich von 120 bis 220, die des BC307C im Bereich von 380 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC307B ist der BC237B.

SMD-Version des Transistors BC307B

Der 2SA812 (SOT-23), BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860W (SOT-323), KSA812 (SOT-23), KST5086 (SOT-23) und MMBT5086 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC307B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC307B

Sie können den Transistor BC307B durch einen BC251, BC251B, BC256, BC256B, BC327, BC416, BC416B, BC446, BC446B, BC448, BC448B, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.
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