Bipolartransistor BC251B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC251B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 460
  • Übergangsfrequenz, min: 320 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC251B

Der BC251B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC251B kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 460 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC251 liegt im Bereich von 120 bis 800, die des BC251A im Bereich von 120 bis 220, die des BC251C im Bereich von 380 bis 800.

SMD-Version des Transistors BC251B

Der 2SA812 (SOT-23), BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860W (SOT-323), KSA812 (SOT-23), KST5086 (SOT-23) und MMBT5086 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC251B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC251B

Sie können den Transistor BC251B durch einen BC256, BC256B, BC307, BC307B, BC327, BC416, BC416B, BC446, BC446B, BC448, BC448B, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.
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