Bipolartransistor BC257C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC257C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC257C

Der BC257C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC257C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC257 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC257A im Bereich von 110 bis 220, die des BC257B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC257C ist der BC167C.

SMD-Version des Transistors BC257C

Der BC857 (SOT-23), BC857C (SOT-23), BC857CW (SOT-323), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860C (SOT-23), BC860CW (SOT-323), BC860W (SOT-323), KST5087 (SOT-23) und MMBT5087 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC257C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC257C

Sie können den Transistor BC257C durch einen 2SA1025, 2SA1025-E, 2SA1081, 2SA1081-E, 2SA1083, 2SA1083-E, 2SA1084, 2SA1084-E, 2SA1287, 2SA1287-G, 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SA990, 2SA990E, 2SA991 oder 2SA991E ersetzen.
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