Bipolartransistor BC860C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC860C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC860C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC860C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC860 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC860A im Bereich von 110 bis 220, die des BC860B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC860C ist der BC850C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC860C

Sie können den Transistor BC860C durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC856, BC856C, BC857, BC857C, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
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