Bipolartransistor 2SA1025

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1025

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA1025

Der 2SA1025 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1025 kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1025-D liegt im Bereich von 250 bis 500, die des 2SA1025-E im Bereich von 400 bis 800.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1025-Transistor könnte nur mit "A1025" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1025 ist der 2SC2396.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1025

Sie können den Transistor 2SA1025 durch einen 2SA1081, 2SA1082, 2SA1083, 2SA1084, 2SA1085, 2SA1285 oder 2SA991 ersetzen.
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