Bipolartransistor MMBT5087
Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT5087
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -3 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 800
- Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
- Rauschzahl, max: 2 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des MMBT5087
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT5087
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