Bipolartransistor 2SD869

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD869

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 600 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3.5 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SD869

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD869-Transistor könnte nur mit "D869" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD869

Sie können den Transistor 2SD869 durch einen 2SD819, 2SD820, 2SD821, 2SD822, 2SD870, 2SD871, BUX48B, BUX48C, MJ12004, MJ12005, MJ8502, MJ8503, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.
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