Bipolartransistor 2SD820

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD820

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 600 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SD820

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD820-Transistor könnte nur mit "D820" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD820

Sie können den Transistor 2SD820 durch einen 2SD821, 2SD822, 2SD870, 2SD871, BUX48B, BUX48C, MJ12004, MJ12005, MJ8502, MJ8503, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com