Bipolartransistor MJ8502

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ8502

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 700 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ8502

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ8502

Sie können den Transistor MJ8502 durch einen BUX48C, MJ12004, MJ12005, MJ8503, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.
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