Bipolartransistor 2SD870

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 600 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 1500 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 50 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 8
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD870-Transistor könnte nur mit "D870" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SD870 durch einen 2SD820, 2SD821, 2SD822, 2SD871, BUX48B, BUX48C, MJ12004, MJ12005, MJ8502, MJ8503, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.