Bipolartransistor 2SD819

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD819

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 600 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3.5 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SD819

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD819-Transistor könnte nur mit "D819" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD819

Sie können den Transistor 2SD819 durch einen 2SD820, 2SD821, 2SD822, 2SD869, 2SD870, 2SD871, BUX48B, BUX48C, MJ12004, MJ12005, MJ8502, MJ8503, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.
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