Bipolartransistor 2SD793-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD793-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD793-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD793-P kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD793 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD793-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD793-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD793-P-Transistor könnte nur mit "D793-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD793-P ist der 2SB743-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD793-P

Sie können den Transistor 2SD793-P durch einen 2SC2270, 2SC3420, 2SD1348, 2SD1683, 2SD1722, 2SD1723, 2SD794, 2SD794-Y, 2SD794A, 2SD794A-Y, 2SD882, 2SD882P, 2SD882Y, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, KSD794, KSD794-Y, KSD794A, KSD794A-Y, KSD882, KSD882-Y, KSH882, KSH882-Y, KTD882, KTD882-Y, MJE222, MJE225 oder MJE520 ersetzen.
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