Bipolartransistor KTD1047
Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD1047
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
- Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
- Electrically Similar to the Popular 2SD1047 transistor
Pinbelegung des KTD1047
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD1047
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