Bipolartransistor KTD1047

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD1047

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1047 transistor

Pinbelegung des KTD1047

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD1047 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD1047-O liegt im Bereich von 60 bis 120, die des KTD1047-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD1047 ist der KTB817.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD1047

Sie können den Transistor KTD1047 durch einen 2SD1047, 2SD1717, 2SD1718, KTD1047B, MJW3281A oder MJW3281AG ersetzen.
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