Bipolartransistor KTD1047-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD1047-Y

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1047-E transistor

Pinbelegung des KTD1047-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD1047-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD1047 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des KTD1047-O im Bereich von 60 bis 120.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD1047-Y

Sie können den Transistor KTD1047-Y durch einen 2SD1047, 2SD1047-E, 2SD1047C, 2SD1717, 2SD1717-P, 2SD1718, 2SD1718-P, KTD1047B, KTD1047B-Y, MJW3281A oder MJW3281AG ersetzen.
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