Bipolartransistor 2SD1717-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1717-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SD1717-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1717-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1717 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SD1717-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1717-S im Bereich von 80 bis 160.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1717-P-Transistor könnte nur mit "D1717-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1717-P ist der 2SB1162-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1717-P

Sie können den Transistor 2SD1717-P durch einen 2SD1718, 2SD1718-P, MJW3281A oder MJW3281AG ersetzen.
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