Bipolartransistor 2SD1717-P

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
• Verlustleistung, max: 120 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1717-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1717 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SD1717-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1717-S im Bereich von 80 bis 160.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1717-P-Transistor könnte nur mit "D1717-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1717-P ist der 2SB1162-P.Sie können den Transistor 2SD1717-P durch einen 2SD1718, 2SD1718-P, MJW3281A oder MJW3281AG ersetzen.