Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC5196O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
Verlustleistung, max: 60 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SC5196O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC5196O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC5196 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SC5196R im Bereich von 55 bis 100.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC5196O-Transistor könnte nur mit "C5196O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC5196O ist der 2SA1939O.
SMD-Version des Transistors 2SC5196O
Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SC5196O-Transistors.