Bipolartransistor BD249B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD249B

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 25
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BD249B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD249B ist der BD250B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD249B

Sie können den Transistor BD249B durch einen 2SD1841, 2SD1841-P, 2SD1841-Q, 2SD1842, 2SD1842-P, 2SD1842-Q oder BD249C ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-220 package, BD244A: 65 watts
TO-3P package, BD245: 80 watts
TO-3P package, BD245C: 80 watts
TO-3P package, BD246B: 80 watts
TO-3P package, BD250: 125 watts

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