Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD718B-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 12 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des KTD718B-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTD718B-O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD718B liegt im Bereich von 55 bis 160, die des KTD718B-R im Bereich von 55 bis 110.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD718B-O ist der KTB688B-O.