Bipolartransistor KTD998

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD998

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SD998 transistor

Pinbelegung des KTD998

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD998 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD998-O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des KTD998-R im Bereich von 55 bis 110.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD998 ist der KTB778.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD998

Sie können den Transistor KTD998 durch einen 2SC2581, 2SC2706, 2SC2837, 2SC3182, 2SC3182-O, 2SC3280, 2SC3281, 2SC3284, 2SC3519, 2SC3519A, 2SC3519A-O, 2SC3519A-P, 2SC3519A-Y, 2SC3855, 2SC3907, 2SC4468, 2SC5198, 2SC5199, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5358, 2SC5948, 2SC5949, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SD1148, 2SD2155, 2SD998, FJA4310, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, KTD718, KTD718B, MJW3281A, MJW3281AG oder NTE2328 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com