Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2682P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Rauschzahl, max: 4 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SC2682P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2682P kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2682 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des 2SC2682Q im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2682P-Transistor könnte nur mit "C2682P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2682P ist der 2SA1142P.
