Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3789-F
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 7 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126F
Pinbelegung des 2SC3789-F
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC3789-F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3789 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SC3789-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SC3789-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SC3789-E im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3789-F-Transistor könnte nur mit "C3789-F" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3789-F ist der 2SA1479-F.
SMD-Version des Transistors 2SC3789-F
Der BF620 (SOT-89), BF820 (SOT-23) und PMBTA42 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC3789-F-Transistors.
