Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1142P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
Rauschzahl, max: 4 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SA1142P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1142P kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1142 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des 2SA1142Q im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1142P-Transistor könnte nur mit "A1142P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1142P ist der 2SC2682P.