Bipolartransistor BD129

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD129

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 17.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD129

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors BD129

Der PBHV8540T (SOT-23), PBHV8540X (SOT-89), PBHV8540Z (SOT-223) und PMBTA44 (SOT-23) ist die SMD-Version des BD129-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD129

Sie können den Transistor BD129 durch einen 2N5657, 2N5657G, 2SC2752K, 2SC2752L, BD159, BUX86, BUX87, KSC2752O, KSC2752Y oder KSE5020-Y ersetzen.
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