Bipolartransistor 2SC2682

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2682

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SC2682

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2682 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2682P liegt im Bereich von 160 bis 320, die des 2SC2682Q im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2682-Transistor könnte nur mit "C2682" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2682 ist der 2SA1142.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2682

Sie können den Transistor 2SC2682 durch einen 2SC1565A, 2SC2258, 2SC2912, 2SC3416, 2SC3417, 2SC3502, 2SC3503, 2SC3600, 2SC3601, 2SC3788, 2SC3789, 2SC3790, 2SC3955, 2SC3956, 2SD1610, BD127, BD128, BD129, KSC2258, KSC2258A, KSC2682, KSC3502 oder KSC3503 ersetzen.
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