Bipolartransistor 2SC1162-B

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1162-B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 35 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SC1162-B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC1162-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1162 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SC1162-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SC1162-D im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1162-B-Transistor könnte nur mit "C1162-B" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1162-B ist der 2SA715-B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1162-B

Sie können den Transistor 2SC1162-B durch einen 2N4921, 2N4921G, 2N4922, 2N4922G, 2SD794, 2SD794-R, 2SD794A, 2SD794A-R, BD131, BD175, BD177, BD187, BD189, BD437, BD437G, BD439, BD439G, BD785, BD787, BD787G, BDX35, BDX36, KSD794, KSD794-R, KSD794A, KSD794A-R, KSE180, KSE181, MJE180, MJE180G, MJE181, MJE181G, MJE220, MJE221, MJE222, MJE223, MJE224 oder MJE225 ersetzen.
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