Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1162-B
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 35 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2.5 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SC1162-B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1162-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1162 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SC1162-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SC1162-D im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1162-B-Transistor könnte nur mit "C1162-B" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1162-B ist der 2SA715-B.