Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB556-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
Verlustleistung, max: 100 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Übergangsfrequenz, min: 6 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2SB556-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB556-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB556 liegt im Bereich von 40 bis 140, die des 2SB556-O im Bereich von 70 bis 140.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB556-R-Transistor könnte nur mit "B556-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB556-R ist der 2SD426-R.
